闪存之争风云再起

目前已有多家大型存储公司释放出低迷信号，扩张计划纷纷放缓TrendForce集邦咨询公司预测，第三季度NAND闪存价格跌幅将扩大至8%~13%，跌势可能延续至第四季度明年上半年，NAND闪存的价格可能还会下降

虽然已经感受到了市场低迷的寒风，但是存储厂商在先进技术上的竞争力并没有下降最近几天，美光宣布推出全球首款232层NAND，位密度比上一代176层NAND提升45%以上，三星电子预计今年内发布236层NAND闪存产品，还计划在本月开设新的R&D中心，负责开发更先进的NAND闪存产品，SK海力士最近完成了238层NAND产品的开发在厂商之间的竞争中，一场关于闪存的竞争再次拉开序幕

NAND红海中的淘金者

闪存的出现是一项极其伟大的发明从某种意义上说，NAND闪存引领数据存储进入了一个新时代，使人们日常生活中使用的智能手机，电脑，智能汽车等产品有了质的飞跃也为云计算，大数据，VR设备，人工智能，物联网，自动驾驶等新兴领域的发展奠定了基础

当时间之手拨回到1987年，日本东芝存储公司创造了NAND闪存诞生的奇迹这一创举已有35年的历史如今，东芝存储已经改名为《铁甲侠》日前，侠客发文庆祝NAND闪存发明35周年侠客承认，NAND闪存技术是一项颠覆性的技术，其深远的影响从根本上改变了人们的生活，工作和娱乐方式

从35年前的零开始，市场规模已经达到700亿美元，NAND闪存的发展令人瞩目容量方面，NAND闪存从4Mb增加到1.33Tb，实现了3.33万倍的增长

2013年，韩国三星开发了V—NAND闪存技术，这是一个新的里程碑这是一种通过在3D空间中垂直堆叠穿孔来连接其细胞层的解决方案它不仅突破了NAND闪存只能使用二维结构的限制，而且使NAND闪存从二维结构向三维结构演进，成为当前主流技术之一

第一代V NAND闪存商业化之后，3D NAND闪存领域的技术有了长足的进步，第二代，第三代，第四代，第五代，第六代，第七代相继涌现短短9年，堆叠层数逐渐成为各大闪存企业的竞争焦点

今年2月初，三星宣布将于2022年底或2023年上半年推出200层以上的3D NAND芯片，并于2023年上半年开始量产预计三星首款超过200层的3D NAND芯片的层数将达到224层

当所有人都认为3D NAND闪存的创造者三星将继续引领技术潮流，甚至将3D NAND闪存带入200+层的新时代时，美国存储芯片巨头美光却让三星措手不及日前，美光宣布，原定于今年年底开始量产的全球首款232层3D NAND芯片已经提前量产，预示着3D NAND芯片将进入200+层时代美光技术和产品执行副总裁斯科特·德博尔表示，美光的232层NAND芯片是存储芯片创新的分水岭，也证明了目前的技术有能力将3D NAND芯片的层数扩展到200层以上美光此举可以说是后发制人，而且这已经不是美光第一次这么做了早在2022年1月，美光就在三星之前率先发布了业界首款176层3D NAND芯片

赛迪顾问集成电路中心高级分析师杨君刚表示，美光在存储器领域一直处于领先地位，在DRAM和NOR闪存领域拥有丰富的技术储备和经验，以及成熟的生产线和产能在研发NAND闪存的过程中，美光也多方寻求合作，包括与尔必达，英特尔的合作，快速积累技术和经验，为美光NAND闪存的崛起奠定了基础

半导体行业专家池先念表示:美光的技术突破可以降低其生产成本，并赋予美光最先进闪存芯片的定价权，这将增加其利润，另一方面，美光进一步提高了技术门槛，拉大了与其他厂商的差距，进一步增加了在存储芯片市场的竞争力和3D NAND闪存的市场份额。

在这种势头下，美光决心抢占更多的市场份额日前，美光宣布将在10年内分阶段投资400亿美元建设先进的内存芯片制造工厂，这也是美国内存制造业最大的一笔投资根据消息显示，此次宣布的400亿美元投资计划是去年宣布的1500亿美元全球投资计划的一部分

层数之争越来越热。

光子在闪存领域的技术突破，将3D NAND闪存技术提升到了一个新的高度围绕更高的层数，闪存公司之间的竞争日趋激烈

日前，韩国知名存储芯片制造商SK海力士宣布成功研发出业界层数最多的238层4D NAND闪存，并在美国圣克拉拉举行的2022闪存峰会上发布了首款新产品SK海力士表示:这款238层NAND 4D闪存在达到业界最高堆栈水平的同时，实现了世界上最小的面积

三星在NAND闪存市场也在加速发展最近几天，三星宣布将在今年内发布236层NAND闪存产品另一方面，同样来自韩国的SK海力士收购了英特尔在中国大连工厂的NAND闪存业务此次收购后，其市场总份额达到全球第二，仅次于三星显然，从市场份额来看，这两家韩国工厂占据了NAND闪存的半壁江山梅想要突破韩二人组的铜墙铁壁，还有很长的路要走

不过相比韩国duo，美光在闪存领域也有独特的优势北京半导体行业协会副秘书长朱静告诉记者，专注和专注是美光在NAND市场表现强劲的原因之一广美果断退出奥腾内存业务后，一直专注于NAND市场这一策略无疑是明智之举相比之下，三星推出新品的速度没有美光快，这可能是因为三星在代工业务上投入了大量的精力，所以在内存市场上顾此失彼

值得注意的是，虽然闪存层数越多，单位空间的存储密度越大，总存储容量越容易提高，但层数并不是决定闪存性能的唯一指标道投资咨询总经理卜日新表示，3D NAND闪存堆叠技术原则上可以理解为通过堆叠在更小的空间和面积内实现更大的存储容量但每个厂商都有自己的技术架构和演进路线图，彼此并不完全一致，各有各的技术流程特点在底层，3D堆栈确实可以显著提升闪存的性能，但伴随着层数的增加，性能提升也会遇到瓶颈，需要在技术，成本和性能之间找到平衡点

层数领先并不代表美光在闪存技术上已经超过三星迟先年解释说，衡量闪存产品的先进性，业界除了堆叠层数之外，还需要比较接口速度，可靠性，随机读取性能，能耗，增加单位位数等指标

美光率先推出238层NAND，虽然对提升企业形象起到了一定作用，但很难说美光的技术在全球独一无二美国高级工程师盛海峰博士告诉记者，这项技术对市场份额影响不大盛海峰进一步解释说，NAND有几个市场，比如消费电子，云计算，数据中心，汽车电子不同的市场有不同的要求消费电子追求大存储容量和低功耗但最近几年来，云存储几乎让相关市场对存储容量的追求告一段落，512GB对于大部分手机用户来说应该足够了作为手机和个人电脑的主要制造商，三星在市场份额上具有独特的优势

纵观其他市场，云计算和数据中心的首要要求是低功耗，可靠性要求高于消费电子对可靠性要求最高的市场是汽车电子汽车电子客户的忠诚度也是最高的，因为认证新供应商的周期和成本都很高梅在汽车电子领域深耕多年，现在得到了红利盛海峰告诉记者

虽然层数不代表最先进的水平，但也能证明美光自身的实力TrendForce集邦咨询分析师敖国峰认为，层数不一定代表最先进的技术，但只有把层数叠加起来，才有机会增加存储容量，在成本上有优势除了层数，闪存芯片的传输速度是另一个关注的焦点根据美光发布的消息，其下一代产品的存储速度非常快

三星的领先地位暂时难以撼动。

《铁甲侠》和西部数据的联盟不容小觑最近几年来，双方一直在深化合作，计划到2024年推出200层以上的3D NAND芯片侠义之前积累了大量的技术和专利，在技术研发上一直保持高速发展前不久，赤霞和华西联合开发的NAND闪存的堆栈达到了162层虽然这一成果与美光，三星，SK海力士相继推出的200层NAND闪存技术有一定差距，但高密度，超多值等新结构技术的结合也提高了闪存的密度，降低了成本，其产品在市场上具有一定竞争力

据报道，西部数据首席执行官大卫·戈克勒在接受采访时表示，赤霞是西部数据的重要合作伙伴两家公司合在一起是全球最大的NAND供应商，市场份额略高于三星

三星是闪存市场公认的领先公司《装甲人》与西部数据的强强联合能否撼动三星在闪存市场的老大地位纵观未来3—5年的市场格局，朱静认为，无论在资金投入，地缘政治还是自身技术上，侠义和西部数据与三星，美光都有一定距离在她看来，美光是对三星的内存霸主地位最具挑战的公司在相关政策的支持下，美光在产能扩张上可能会有更大的优势，这将为其未来的价格战打下更好的基础

Buxin也认为三星在闪存领域的领先地位难以撼动在Burixin看来，仅仅依靠各家公司略有差异化的技术路线并不能形成非常强的竞争优势，闪存相对稳定的市场格局也很难在短时间内被打破在市场格局层面，侠义与西部数据的纯商业合作难以撼动三星的市场地位即使在西部数据有意收购侠义之前，从资本层面也很难有1+1gt，2的结果三星在NAND领域的产业链比较完善，技术也比较成熟，不太可能和其他企业在NAND领域合作

可以看到，到目前为止，整个闪存市场的格局仍然是三星，美光，SK海力士，侠义，西部数据五家龙头企业主导，三星的龙头地位暂时难以撼动我相信这种模式在未来还会持续一段时间

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